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AOT1606L/AOB1606L
60V N-Channel Rugged Planar MOSFET
General Description
Product Summary
The AOT1606L/AOB1606L uses a robust technology that
is designed to provide efficient and reliable power
conversion even in the most demanding applications,
including motor control. With low R DS(ON) and excellent
V DS
I D (at V GS =10V)
R DS(ON) (at V GS =10V)
60V
178A
< 6.3m ?
thermal capability this device is appropriate for high
current switching and can endure adverse operating
conditions.
100% UIS Tested
100% R g Tested
Top View
TO220
Bottom View
Top View
TO-263
D 2 PAK
Bottom View
D
D
D
D
D
G
G
D
S
S
D
G
G
S
S
G
S
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Maximum
60
±20
Units
V
V
Continuous Drain
Current G
Pulsed Drain Current C
Continuous Drain
Current
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
I D
I DM
I DSM
178
126
310
12
10
A
A
Avalanche Current C
Avalanche energy L=0.1mH C
I AS , I AR
E AS , E AR
125
781
A
mJ
Power Dissipation B
Power Dissipation A
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
P D
P DSM
417
208
2.1
1.3
W
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 175
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A D
Maximum Junction-to-Case
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R θ JA
R θ JC
12
48
0.3
15
60
0.36
°C/W
°C/W
°C/W
Rev0: May 2011
www.aosmd.com
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